Есть в основном два вида приготовления синтетического монокристалла алмаза метода: один-это высокая температура высокого давления методом высокой температуре и высоком давлении, называется ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНАЯ; другое химическое осаждение из паровой фазы методом химического осаждения,и называется сердечно-сосудистых заболеваний.

Высокая температура и давление（способ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНАЯ синтетических алмазов

ü Высокой температурой и высоким давлением метод относится к температуре более 1500℃, давлении более 109 Па в условиях подготовки алмазоподобных метод, за рубежом обычно называют градиентом температуры, способ, внутренний, как называют температуру разностей. ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНАЯ метод, в настоящее время существуют два устройства для подготовки бриллианта: один является использование шестигранных верхнего давления, машина это в первую очередь смещение графит углерод превращается в Алмаз смещение углерода; кроме того, устройство представляет собой двухступенчатый мяч давление машина устройство, это советские ученые Борис

Феигелсон и соавт. в начале 90-х разработали.

ü В настоящее время промышленность по-прежнему в первую очередь с использованием ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНАЯ способ изготовления монокристалла алмаза,

который является наиболее значимым моментом является то, что процесс производства является относительно простым, алмаз темп роста быстрый,

обычно в 10-20мин сможете синтезировать 1мм или меньше Диаманта монокристалла, в целях удовлетворенияразличных производственных нужд.

С ростом развития технологий, теперь через контроль сформированного ядра может быть рост размера частиц до 2 мм Даймонд.                                                                                                                                                                   

Метод химического осаждения паров

ü Методом химического осаждения（ССЗ）в основном используется в высокой температуры место также включены в подложки и активного пространства

происходит в результате химической реакции. Подготовка алмаз, используемый в сырье газ в основном метан и водород при высокой температуре,

в условиях возбуждения газов разложения, производя углерод-содержащей группы активных частиц, и в конечном счете в Материал подложки осаждается

на алмазной пленки. Подготовка монокристаллического алмаза из основных методов микроволновой плазмы при содействиихимическое осаждение из паровой

фазы методом горячей нити вспомогательной химического осаждения методом электронного циклотронного резонансного микроволнового плазменного

химическогоосаждения из паровой фазы методом постоянного тока плазменной струи химического осаждения способ, пламени сгорания химического осаждения или метода, как.

Осаждение---горячая химического парофазного нить автоматизированного химического осаждения（HFCVD）

ü Газовой смеси в реакционную камеру через горячий провод регионе достигает коллективных поверхности, молекулярного водорода на поверхности горячей нити катализируемого разложения. Реакционную зону только по горячей проволоки вокруг очень маленькой области, которая делает одиночную нить объем был ограничен, и накал нити и подложки между лучшими расстояние составляет 1-10мм. Этот процесс диапазоне с этих меньших областей активации и большой площади осаждения просто в реакционную камеру через множество нитей в комплекте. Горячий провод может быть использован, Вт, МО и т. д. обычно нагревают до температуры от 2000 ° C до 2400 ° с, реакционную камеру в типичном давление 50Torr,HFCVD скорость роста алмазов от 0. 1 мкм/ч до 15 мкм/час. Площадь осаждения от нескольких квадратных миллиметров до 300cm2 . Основным недостатком этой технологии является то, что толщина алмазной пленки и качество неравномерно.